硫化铟（In₂S₃）作为宽禁带半导体材料，在薄膜晶体管和光电探测器器件制造中需要减薄至目标厚度以保证器件性能。

将硫化铟晶圆固定于真空吸盘后，半自动晶圆减薄机控制磨轮沿预设轨迹逐层去除背面材料，把晶圆修整到设计所需的厚度。

硫化铟具有层状晶体结构，磨削过程中层间应力容易导致晶片剥离。在工艺配方中设定低转速与细小切深参数，由半自动晶圆减薄机按粗磨、精磨分段执行，粗磨阶段快速去除余量，精磨阶段逐步收敛至目标尺寸，降低层间应力对晶片完整性的影响。

减薄过程中需实时监测厚度变化，通过在线测厚模块采集工件厚度数据并反馈至控制系统，达到设定值即停止进给，这一厚度闭环控制由半自动晶圆减薄机完成。冷却液持续供给磨削区带走磨屑与热量，维持硫化铟晶圆表面质量与尺寸稳定性。

砂轮修整按累计去除量自动触发，保证磨削力稳定，使连续批次的硫化铟晶圆厚度一致性满足后续薄膜沉积与光刻工艺要求。