硅片在减薄工序后，表面会残留损伤层并存在厚度不均的问题。

硅片双面研磨机通过同步加工上下两个表面，在去除损伤层的同时，实现全局厚度的均匀修正，为后续抛光工序提供合格的基底。

该设备采用行星式运动结构，硅片置于内齿圈与太阳轮之间的游星轮内，在上下研磨盘的同步压力下公转与自转。这种运动方式确保硅片表面每一点与研磨盘的接触轨迹均等，从而获得极高的平行度与厚度一致性。

压力控制采用气动闭环系统，可精确设定并维持研磨压力，确保不同批次硅片的材料去除率稳定。研磨盘平面度由金刚石修整环定期修正，保证加工基准的长期精度。

硅片双面研磨机适用于4/6/8英寸硅片的高效批量化加工，是实现晶圆纳米级平坦化的关键前道工序设备。