芯片性能取决于表面平整度。CMP（化学机械抛光）是目前唯一能实现晶圆全局纳米级平坦化的技术，它结合化学腐蚀与机械研磨，将表面高低差控制在原子级别，为光刻工艺奠定基础。

CMP 运行逻辑严苛：抛光液先与晶圆表面反应生成软质层，旋转平台再通过机械研磨将其磨除。这种机制既保证高去除率，又避免晶格损伤。在先进制程中，芯片制造可能需经历20次以上 CMP 步骤，每一步都须精准无误。

方达研磨的设备主电机采用变频调速，实现软启动与软停机，降低运行冲击，进一步减少工件损伤，保障每一步抛光稳定可控。

该设备的核心壁垒在于参数控制。CMP 集成多区压力控制、恒温闭环及光学终点检测系统。高端机型支持多压力分区实时调控，光学传感器可监测界面变化实现纳米级停止判定。

以方达研磨的设备为例，整机采用PLC加触摸屏控制；工件研磨压力通过整体气缸加压、电气比例阀闭环控制，工件盘压力可在30至150kg间调节，工作气压0.4至0.6MPa；

上压盘由伺服马达主动驱动，确保4个工位抛光统一性；抛光盘规格覆盖700至910mm，转速最高可达100rpm；抛光盘与上压盘均配置冷却水冷却，既保证抛光液效率，又减少盘面热变形。